SiC substratas
apibūdinimas
Silicio karbidas (SiC) yra dvejetainis IV-IV grupių junginys, tai vienintelis stabilus kietas junginys IV periodinės lentelės grupėje. Tai svarbus puslaidininkis.SiC pasižymi puikiomis šiluminėmis, mechaninėmis, cheminėmis ir elektrinėmis savybėmis, todėl ji yra viena geriausių medžiagų gaminant aukštos temperatūros, aukšto dažnio ir didelės galios elektroninius prietaisus. SiC taip pat gali būti naudojamas kaip substrato medžiaga. GaN pagrindu pagamintiems mėlyniems šviesos diodams.Šiuo metu 4H-SiC yra pagrindiniai produktai rinkoje, o laidumo tipas yra padalintas į pusiau izoliacinį ir N tipą.
Savybės
| Prekė | 2 colių 4H N tipo | ||
| Skersmuo | 2 colių (50,8 mm) | ||
| Storis | 350+/-25um | ||
| Orientacija | nuo ašies 4,0˚ link <1120> ± 0,5˚ | ||
| Pirminė plokščia orientacija | <1-100> ± 5° | ||
| Antrinis butas Orientacija | 90,0˚ CW nuo pirminio plokščio ± 5,0˚, Si nukreipta į viršų | ||
| Pirminis plokščias ilgis | 16 ± 2,0 | ||
| Antrinis plokščias ilgis | 8 ± 2,0 | ||
| Įvertinimas | Gamybos klasė (P) | Tyrimo laipsnis (R) | Manekeno klasė (D) |
| Atsparumas | 0,015~0,028 Ω·cm | < 0,1 Ω·cm | < 0,1 Ω·cm |
| Mikrovamzdžio tankis | ≤ 1 mikrovamzdis/cm² | ≤ 10 mikrovamzdžių/cm² | ≤ 30 mikrovamzdžių/cm² |
| Paviršiaus nelygumai | Si paviršius CMP Ra <0,5 nm, C paviršius Ra <1 nm | N/A, naudingas plotas > 75 % | |
| TTV | < 8 um | < 10 um | < 15 um |
| Lankas | < ±8 um | < ±10 um | < ±15 um |
| Metmenys | < 15 um | < 20 um | < 25 um |
| Įtrūkimai | Nė vienas | Bendras ilgis ≤ 3 mm | Bendras ilgis ≤10 mm, |
| Įbrėžimai | ≤ 3 įbrėžimai, kaupiamasis | ≤ 5 įbrėžimai, kaupiamasis | ≤ 10 įbrėžimų, kaupiamasis |
| Šešiakampės plokštės | ne daugiau kaip 6 lėkštės, | ne daugiau kaip 12 lėkščių, | N/A, naudingas plotas > 75 % |
| Politipų sritys | Nė vienas | Kaupiamasis plotas ≤ 5 % | Kaupiamasis plotas ≤ 10 % |
| Užteršimas | Nė vienas | ||
