GaAs substratas
apibūdinimas
Galio arsenidas (GaAs) yra svarbus ir subrendęs III-Ⅴ grupės sudėtinis puslaidininkis, plačiai naudojamas optoelektronikos ir mikroelektronikos srityse.GaAs daugiausia skirstomas į dvi kategorijas: pusiau izoliuojančias GaA ir N tipo GaA.Pusiau izoliuojantis GaA daugiausia naudojamas integrinėms grandinėms su MESFET, HEMT ir HBT struktūromis gaminti, kurios naudojamos radarų, mikrobangų ir milimetrinių bangų ryšiuose, ypač didelės spartos kompiuteriuose ir optinio pluošto ryšiuose.N tipo GaAs daugiausia naudojamas LD, LED, artimojo infraraudonųjų spindulių lazeriuose, kvantinių šulinių didelės galios lazeriuose ir didelio efektyvumo saulės elementuose.
Savybės
| Kristalas | Dopingas | Laidumo tipas | Srautų koncentracija cm-3 | Tankis cm-2 | Augimo metodas |
| GaAs | Nė vienas | Si | / | <5 × 105 | LEC |
| Si | N | >5×1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| Fe | N | ~2×1018 | |||
| Zn | P | >5×1017 |
GaAs substrato apibrėžimas
GaAs substratas reiškia substratą, pagamintą iš galio arsenido (GaAs) kristalinės medžiagos.GaAs yra sudėtinis puslaidininkis, sudarytas iš galio (Ga) ir arseno (As) elementų.
GaAs substratai dėl puikių savybių dažnai naudojami elektronikos ir optoelektronikos srityse.Kai kurios pagrindinės GaAs substratų savybės:
1. Didelis elektronų mobilumas: GaAs turi didesnį elektronų judrumą nei kitos įprastos puslaidininkinės medžiagos, tokios kaip silicis (Si).Dėl šios charakteristikos GaAs substratas tinka aukšto dažnio didelės galios elektroninei įrangai.
2. Tiesioginis juostos tarpas: GaAs turi tiesioginį juostos tarpą, o tai reiškia, kad elektronams ir skylėms rekombinuojant gali atsirasti efektyvi šviesos spinduliuotė.Dėl šios savybės GaAs substratai idealiai tinka optoelektroninėms reikmėms, tokioms kaip šviesos diodai (LED) ir lazeriai.
3. Platus dažnių diapazonas: GaAs pralaidumas yra platesnis nei silicio, todėl jis gali veikti aukštesnėje temperatūroje.Ši savybė leidžia GaAs pagrįstiems įrenginiams efektyviau veikti aukštos temperatūros aplinkoje.
4. Mažas triukšmas: GaAs substratai pasižymi žemu triukšmo lygiu, todėl tinka mažo triukšmo stiprintuvams ir kitoms jautrioms elektroninėms programoms.
GaAs substratai plačiai naudojami elektroniniuose ir optoelektroniniuose įrenginiuose, įskaitant didelės spartos tranzistorius, mikrobangų integrinius grandynus (IC), fotovoltinius elementus, fotonų detektorius ir saulės elementus.
Šiuos substratus galima paruošti naudojant įvairius metodus, tokius kaip metalo organinis cheminis nusodinimas iš garų (MOCVD), molekulinio pluošto epitaksija (MBE) arba skystosios fazės epitaksė (LPE).Naudojamas specifinis auginimo būdas priklauso nuo pageidaujamo naudojimo ir GaAs substrato kokybės reikalavimų.
